双电测数字式四探针测试仪型号： ST2263
概述 ST2263型是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。

双电测数字式四探针测试仪型号： ST2263

概述
     ST2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高 度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。  
      ST2263型成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。 北京同德创业  专业铸造品质
      ST2263型主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，USB通讯接口。仪器主机所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘和数码开关输入；具有零位、满度自校功能；测试功能可自动/手动方式；仪器操作可由配套软件在PC机上操作完成，也可脱PC机由四探针仪器面板上独立操作完成。测试结果数据由主机数码管直接显示，也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印！
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     探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。

型号： ST2263
     测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型测试台。 北京同德创业  专业铸造品质
          详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》点击进入 
      ST2263型具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。
     仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

型号： ST2263
三、基本技术参数 北京同德创业  专业铸造品质
3.1  测量范围 北京同德创业  专业铸造品质
    电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
    电  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
    直    径：SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
    长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    测量方位: 轴向、径向均可
3.3.  4-1/2 位数字电压表：
    (1)量程： 20.00mV～2000mV
    (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.4  数控恒流源
   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A
   (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.5  四探针探头（选配其一或加配全部）
   (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
   (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.6 电源 北京同德创业  专业铸造品质
   输入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W
3.7 外形尺寸：
   主机  220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）

产品名称：砂体视显微镜 产品型号： TD-SXT

 砂体视显微镜 型号： TD-SXT
产品用途： 实验室观测分析型砂特征 
◆主要技术参数 
1、放大倍数 40X
2、物方视场 5.0mm
3、工作距离 66mm
4、支架升降范围 70mm
5、两目镜中心可调距离 55~70mm
6、总重量：1.8kg
7、外形尺寸 320*180*120（mm）