PR-3离子去胶机
通过等离子体方法，对陶瓷片、硅片等衬底材料图形上的光刻胶进行干法去除。设备为单室真空系统，主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频电源系统、控制系统、冷却系统、报警系统等部分组成。

PR-3离子去胶机

通过等离子体方法，对陶瓷片、硅片等衬底材料图形上的光刻胶进行干法去除。设备为单室真空系统，主要由真空系统、气路系统、电气系统、射频电源系统、控制系统、冷却系统、报警系统等部分组成。  
射频电源采用RF500W电源控制。  
PR-3离子去胶机 气路系统采用两台浮子流量计控制气体进气。
 腔室结构：卧式、纯石英
 真空室规格：F210´300mm
 限真空：1Pa（环境湿度≤55%）
 真空系统:机械泵
 大装片直径: F4英寸
  大装片容量：4英寸 25片/炉
 去胶速率: ～500A/min
 去胶不均匀性：≤±5％ (φ4吋范围内)
 操作方式:手动方式
用户可选配全自动控制方式

产品名称：标准型匀胶机 台式匀胶机 产品型号：SC-1B

标准型匀胶机  台式匀胶机 型号：SC-1B

SC-1B标准型匀胶机主要适用于半导体硅片、晶片、ITO导电玻璃、光学玻璃等工艺制版及表面涂覆，各种光刻胶表面膜制备。  
   采用变频技术控制旋涂速度与时间，有效控制胶的厚度、均一性。可应用于各研究领域前期研发及小规模生产。
主 要 技 术 指 标1. 控制显示：LED数字控制器，用户可通过控制器进行参数修改设置
2. 匀胶模式：可同时输入七组数值，即转速及匀胶时间可任意设置为Ⅰ档、Ⅱ挡、……Ⅶ档，转速启动后先低速运转（Ⅰ档），然后自动执行Ⅱ档、……Ⅶ档，直至达到高速运转。
3．匀胶时间：1～9999s任意时间可设置
4．匀胶速度：0～8000rmp可调
5．旋转加速度：0～8000rpm/sec 由低速到高速加速时间0.1s～0.5s
6．转速稳定度：±1rmp
7．涂胶均匀性：±3%
8．可镀膜尺寸：Ф5～Ф150mm（6〞）
9．基片厚度：  ≤5mm
配 置 参 数1．设备配置Ф200mm接胶装置
2．电机功率：90W，额定转速8000rmp
3．真空泵：FY-1C旋片式真空泵，抽速60L/min(用户可选配无油型真空泵)
4．样片托：标配1英寸一个，2英寸一个，其它规格按要求定制
5．输入电源： AC220V/240V  50HZ
6．整机功率：100W
7．机身尺寸： 280×360×240mm
8．机身重量：10Kg

智能颗粒强度测定仪 型号：DL4

DL4型智能颗粒强度测定仪专为破碎强度值于2000N的硬度较的刚性物料设计研发，广泛用于型煤、球团、冶金、新材料、石化催化等领域。其在DL系列强度测定仪系列产品的基础上，增加了堆压功能，结构及选材更加适应强度压力测试的需要，更加可靠耐用。该仪器运用DL系列产品性能的控制平台架构，在加力控制、数据采样、数据分析计算等各个环节保证了测试的准确性和稳定性，受到了国内外用户的一致推崇和好评，各项性能及数据指标在我国同类产品中处于水平。

主要技术指标